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首頁/ 商品目錄/ MOSFET/ IRFB59N10DPBF

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圖片僅供參考，商品以實物為準

品牌:

英飛凌(infineon)

型號:

IRFB59N10DPBF

描述:

MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB

庫存:

35250

貨源類別:

現(xiàn)貨庫存

倉庫:

大陸/香港

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聯(lián)系方式

座機：0755-82988826

手機：19166225496(微信同號)

Q Q：3469113929

郵箱：3469113929@qq.com

產(chǎn)品參數(shù)

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)

59A（Tc）

FET功能

FET類型

N 通道

Vgs（最大值）

±30V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）

25 毫歐 @ 35.4A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）

5.5V @ 250μA

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）

2450 pF @ 25 V

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）

114 nC @ 10 V

功率耗散（最大值）

3.8W（Ta），200W（Tc）

包裝

管件

工作溫度

-55°C ~ 175°C（TJ）

技術

MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）

100 V

系列

HEXFET?

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）

10V

封裝/外殼

TO-220AB

產(chǎn)地

德國

倉庫

深圳/香港

品質

原裝正品

安裝類型

通孔

零件狀態(tài)

停產(chǎn)

數(shù)據(jù)手冊

下載

IRFB59N10DPBF（MOSFET）由英飛凌(infineon)設計生產(chǎn), IC全球購電子元器件購買網(wǎng)站提供足量庫存35250,價格參考“實時變動” 香港/深圳倉庫。 IRFB59N10DPBF 封裝/規(guī)格, 可以下載IRFB59N10DPBF中文資料、引腳圖、Datasheet數(shù)據(jù)手冊功能說明書PDF，資料中有 PCB空板詳細引腳圖及功能的應用電路圖電壓和使用方法及教程。