臺(tái)積電2納米制程采納米片Nanosheet技術(shù)，與英特爾／三星競(jìng)爭(zhēng)

2022-06-14 12:28:50 本文約有534個(gè)字，預(yù)計(jì)閱讀時(shí)間為2分鐘

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外媒《Extremetech》報(bào)道，芯片制造的FinFET晶體管技術(shù)是自2011年以來(lái)開(kāi)始使用，但隨著節(jié)點(diǎn)不斷縮小，F(xiàn)inFET晶體管技術(shù)將被別的技術(shù)取代。臺(tái)積電更新技術(shù)藍(lán)圖指出，準(zhǔn)備好生產(chǎn)2納米時(shí)，就會(huì)轉(zhuǎn)向納米片 (Nanosheet) 晶體管技術(shù)，英特爾和三星也宣布類似計(jì)劃。

《EEtimes》報(bào)告討論臺(tái)積電未來(lái)計(jì)劃，今年底開(kāi)始3納米量產(chǎn)，確認(rèn)3納米制程不會(huì)采用納米片技術(shù)。納米片是種環(huán)繞柵極 (GAA) 晶體管，有浮動(dòng)晶體管鰭、柵極圍繞故得名。之前英特爾宣布RibbonFET計(jì)劃，技術(shù)就類似納米片。臺(tái)積電預(yù)計(jì)2納米納米片量產(chǎn)2025年開(kāi)始，但英特爾藍(lán)圖是RibbonFET于2024年第三季亮相。三星已在3納米制程轉(zhuǎn)向納米線 (Nanowire) 制程，并宣布上半年量產(chǎn)。

比較臺(tái)積電和英特爾量產(chǎn)進(jìn)程，據(jù)經(jīng)驗(yàn)“量產(chǎn)”定義略有不同。英特爾產(chǎn)品上零售市場(chǎng)前，較短時(shí)間就宣布量產(chǎn)。臺(tái)積電是向客戶銷售產(chǎn)品，客戶自行集成，因此臺(tái)積電宣布量產(chǎn)到商用化產(chǎn)品出現(xiàn)需較長(zhǎng)時(shí)間。

臺(tái)積電不會(huì)短時(shí)間內(nèi)開(kāi)始量產(chǎn)2納米制程，因預(yù)定3納米制程將使用較長(zhǎng)時(shí)間。業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)資深副總經(jīng)理張曉強(qiáng)指出，臺(tái)積電3納米制程將成為受歡迎節(jié)點(diǎn)，并是長(zhǎng)節(jié)點(diǎn)，會(huì)有大量需求。但從3納米到2納米，因晶體管架構(gòu)，納米片對(duì)提高節(jié)能和計(jì)算效率有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，觀察客戶產(chǎn)品，要求計(jì)算性能更高節(jié)能效果者，將首先轉(zhuǎn)向2納米制程。屆時(shí)臺(tái)積電還將與2納米制程一起銷售3納米制程。

三星已在進(jìn)行GAA技術(shù)3納米制程，似乎會(huì)使三星處于領(lǐng)先地位。然而市場(chǎng)分析師認(rèn)為，太早脫離FinFET可能會(huì)嚇到高通和英偉達(dá)等客戶，因只要有重大技術(shù)轉(zhuǎn)變，就很可能出問(wèn)題，尤其產(chǎn)量時(shí)，可能刺激客戶停在FinFET技術(shù)3納米制程，或等到GAA技術(shù)設(shè)計(jì)更成熟再采用，使臺(tái)積電受益可同時(shí)銷售3納米和2納米制程。

盡管如此，逐步脫離FinFET技術(shù)應(yīng)使芯片晶體管密度和效率顯著進(jìn)步。三星指出，與7納米制程技術(shù)相比，3納米的納米線設(shè)計(jì)晶體管密度提高80%，還提高30%性能或提高50%節(jié)能效率。

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