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品牌:

英飛凌(infineon)

型號:

IPL60R1K5C6SATMA1

描述:

MOSFET N-CH 600V 3A THIN-PAK

庫存:

66347

貨源類別:

現(xiàn)貨庫存

倉庫:

大陸/香港

購買數(shù)量：

單價：￥1.06

合計：￥{{price}}

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Q Q：3469113929

郵箱：3469113929@qq.com

產(chǎn)品參數(shù)

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)

3A（Tc）

FET功能

FET類型

N 通道

Vgs（最大值）

±20V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）

1.5 歐姆 @ 1.1A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 90μA

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）

200 pF @ 100 V

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）

9.4 nC @ 10 V

功率耗散（最大值）

26.6W（Tc）

包裝

卷帶（TR）

工作溫度

-40°C ~ 150°C（TJ）

技術

MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）

600 V

系列

CoolMOS? C6

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）

10V

封裝/外殼

Thin-PAK（5x6）

產(chǎn)地

德國

倉庫

深圳/香港

品質

原裝正品

安裝類型

表面貼裝型

零件狀態(tài)

不適用于新設計

數(shù)據(jù)手冊

下載

IPL60R1K5C6SATMA1（MOSFET）由英飛凌(infineon)設計生產(chǎn), IC全球購電子元器件購買網(wǎng)站提供足量庫存66347,價格參考“實時變動” 香港/深圳倉庫。 IPL60R1K5C6SATMA1 封裝/規(guī)格, 可以下載IPL60R1K5C6SATMA1中文資料、引腳圖、Datasheet數(shù)據(jù)手冊功能說明書PDF，資料中有 PCB空板詳細引腳圖及功能的應用電路圖電壓和使用方法及教程。