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存儲(chǔ)器格式:

DRAM

安裝類型:

表面貼裝型表面貼裝想型

包裝:

管件剪切帶（CT）卷帶（TR）,剪切帶（CT）盒卷帶（TR）托盤散裝

存儲(chǔ)器類型:

易失

存儲(chǔ)容量:

512M 512MB 1GB 256Mb 512Mb 1G 4 Gbit 256 Mbit 1 Gbit 2 Gbit 512 Mbit 2G 2Gb 128Mb 1Gb 1Gb（64M x 16） 512Mb（128M x 4） 512Mb（64M x 8） 512Mb（32M x 16） 256Mb（64M x 4） 256Mb（32M x 8） 256Mb（16M x 16） 1Gb（128M x 8） 1Gb（256M x 4） 2Gb（128M x 16） 4Gb（1G x 4） 4Gb（512M x 8） 2Gb（512M x 4） 2Gb（256M x 8）

電壓-供電:

1.7V ~ 1.9V 1.55V ~ 1.9V

工作溫度:

-25°C ~ 85°C（TC） -40°C ~ 85°C（TC） 0°C ~ 95°C（TC） 0°C ~ 70°C（TA） 0°C ~ 85°C（TC） -40°C ~ 125°C（TC） -40°C ~ 105°C（TC） -40°C ~ 105°C（TA） -40°C ~ 95°C（TC） -40°C ~ 85°C（TA）

時(shí)鐘頻率:

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IS43DR86400E-3DBL

品牌：芯成半導(dǎo)體

型號(hào)：IS43DR86400E-3DBL

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IS43DR16320E-3DBLI

品牌：芯成半導(dǎo)體

型號(hào)：IS43DR16320E-3DBLI

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IS43DR86400E-3DBLI

品牌：芯成半導(dǎo)體

型號(hào)：IS43DR86400E-3DBLI

庫(kù)存：10340

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IS43DR16320E-3DBL

品牌：芯成半導(dǎo)體

型號(hào)：IS43DR16320E-3DBL

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MT47H32M16CC-3E:B IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA

品牌：鎂光(micron)

型號(hào)：MT47H32M16CC-3E:B

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