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品牌:

三星(samsung) 鎂光(micron) 海力士(sk hynix) 鈺創(chuàng)科技芯成半導(dǎo)體 Alliance Memory

存儲(chǔ)器格式:

- DRAM

安裝類(lèi)型:

表面貼裝型

包裝:

卷帶（TR）,剪切帶（CT）卷帶（TR）托盤(pán) 散裝

系列:

Automotive, AEC-Q100 TwinDie?

零件狀態(tài):

停產(chǎn) 在售

存儲(chǔ)器類(lèi)型:

非易失易失 DDR4 SDRAM

存儲(chǔ)容量:

8 Gb 4 Gb 8Gb 16Gb 4G 64Gb（16G x 4） 32Gb（2G x 16） 32Gb（8G x 4） 16Gb（4G x 4） 16Gb（2G x 8） 16 Gb 32 Gb 12 Gb 16 Gbit 8 Gbit 4 Gbit 64G 8G 16G 32G 24 Gb 2Gb（256M x 8）（NAND），2G（64M x 32）（LPDDR2） 1Gb（128M x 8）（NAND），512M（32M x 16）（LPDDR2） 4Gb（1G x 4） 4Gb（512M x 8） 4Gb（256M x 16） 8Gb（1G x 8） 32Gb（4G x 8） 16Gb（1G x 16） 8Gb（2G x 4） 8Gb（512M x 16） 4GB 8GB 16GB 32GB

電壓-供電:

1.2V 1.1V 1.8 / 1.1 / 0.6 V 1.14V ~ 1.26V

時(shí)鐘頻率:

1.05 GHz 1.333 GHz 1.6 GHz 1.33 GHz 1.2 GHz 1.066 GHz 933 MHz

封裝/外殼:

WAFER FBGA 96FBGA 78FBGA 96TBGA FCBGA FBGA-78 FBGA-96 96-BGA BGA 200FBGA 96-TFBGA 78-TFBGA 8-UDFN 52-VLGA 100-LBGA 149-WFBGA 模具

已選條件:

8Gb（2G x 4）

1.6 GHz

綜合排序

符合商品條件：共6條

MT40A2G4SA-062E:J IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA

品牌：鎂光(micron)

型號(hào)：MT40A2G4SA-062E:J

庫(kù)存：17262

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描述：IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA

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MT40A2G4SA-062E:J TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA

品牌：鎂光(micron)

型號(hào)：MT40A2G4SA-062E:J TR

庫(kù)存：18385

倉(cāng)庫(kù)：大陸/香港

描述：IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA

立即詢(xún)價(jià)

MT40A2G4SA-062E:R TR MOD DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA

品牌：鎂光(micron)

型號(hào)：MT40A2G4SA-062E:R TR

庫(kù)存：18142

倉(cāng)庫(kù)：大陸/香港

描述：MOD DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA

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1+：￥20.62

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MT40A2G4SA-062E:R MOD DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA

品牌：鎂光(micron)

型號(hào)：MT40A2G4SA-062E:R

庫(kù)存：10330

倉(cāng)庫(kù)：大陸/香港

描述：MOD DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA

價(jià)格

1+：￥11.55

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MT40A2G4SA-062E:E TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA

品牌：鎂光(micron)

型號(hào)：MT40A2G4SA-062E:E TR

庫(kù)存：10149

倉(cāng)庫(kù)：大陸/香港

描述：IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA

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MT40A2G4SA-062E:E IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA

品牌：鎂光(micron)

型號(hào)：MT40A2G4SA-062E:E

庫(kù)存：17301

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