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品牌:

英飛凌(infineon)

型號:

IPN50R3K0CEATMA1

描述:

MOSFET N-CH 500V 2.6A SOT223

庫存:

23109

貨源類別:

現(xiàn)貨庫存

倉庫:

大陸/香港

購買數(shù)量：

單價：￥0.8

合計：￥{{price}}

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座機：0755-82988826

手機：19166225496(微信同號)

Q Q：3469113929

郵箱：3469113929@qq.com

產(chǎn)品參數(shù)

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)

2.6A（Tc）

FET功能

FET類型

N 通道

Vgs（最大值）

±20V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）

3 歐姆 @ 400mA，13V

不同Id時Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 30μA

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）

84 pF @ 100 V

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）

4.3 nC @ 10 V

功率耗散（最大值）

5W（Tc）

包裝

卷帶（TR）,剪切帶（CT）

工作溫度

-40°C ~ 150°C（TJ）

技術

MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）

500 V

系列

CoolMOS? CE

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）

13V

封裝/外殼

PG-SOT223-3

產(chǎn)地

德國

倉庫

深圳/香港

品質

原裝正品

安裝類型

表面貼裝型

零件狀態(tài)

在售

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下載

IPN50R3K0CEATMA1（MOSFET）由英飛凌(infineon)設計生產(chǎn), IC全球購電子元器件購買網(wǎng)站提供足量庫存23109,價格參考“實時變動” 香港/深圳倉庫。 IPN50R3K0CEATMA1 封裝/規(guī)格, 可以下載IPN50R3K0CEATMA1中文資料、引腳圖、Datasheet數(shù)據(jù)手冊功能說明書PDF，資料中有 PCB空板詳細引腳圖及功能的應用電路圖電壓和使用方法及教程。